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工商時報【涂志豪╱台北報導】

日本系統大廠Panasonic旗下半導體子公司Panasonic Semiconductor Solutions(PSCS)與晶圓代工廠聯電(2303)宣布策略合作,雙方將共同臺南市柳營區汽車借款嘉義縣民雄鄉青年創業貸款者 >宜蘭縣冬山鄉留學貸款 針對新一代可變電阻式記憶體(ReRAM)合作開發次世代40奈米製程技術,預計2018年可以開始送樣。

由於DRAM及2D NAND Flash製程微縮已達物理瓶頸,除在電晶體架構上往3D架構發展外,新一代ReRAM已成許多記憶體廠或系統業者爭相布局的市場。PSCS在與日本富士通(Fujitsu)合作開發ReRAM後,昨日宣布與聯電建立合作關係,投入40奈米ReRAM製程開發。

ReRAM是與NAND Flash一樣的非揮發性記憶體,可藉由電壓脈衝於金屬氧化物薄膜,產生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其製程化繁為簡,由兩電極間簡易金屬氧化物架構組成,使其同時有低功耗和高寫入速度的優點。PSCS於2013年即開始量產0.18微米製程ReRAM,並與8位元微控制器貸款 共同搭載在可攜式醫療裝置當中。

PSCS指出,此次的合作結合了PSCS研發的40奈米ReRAM製程技術,以及聯電具高可靠性的CMOS製程技術,合作開發的次世代ReRAM不僅能應用在IC卡及穿戴裝置,也能大量應用在成長快速的物聯網應用中,相關晶片將在2018年開始進行送樣,並可望在2019年進入量產。Panasonic的目標是希望結合聯電的晶圓代工能力,藉由擴大ReRAM量產產能,來爭取目前由三星、東芝等大廠主導的NAND Flash的部份市場。



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